SiC衬底
优点： 1.优良的热学、力学、化学和电学性质 2.制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料 3.可用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料
类别:
关键词:
闪烁体 | 闪烁阵列 | 闪烁体探测器 | 单晶基板 | 声光传感器
产品详细信息
| 生长方法 | MOCVD |
| 晶体结构 | 六方 |
| 晶格常数 | a=3.07 Å c=15.117 Å |
| 排列次序 | ABCACB |
| 方向 | 生长轴或 偏<0001> 3.5 º |
| 带隙 | 3.02 eV (间接) |
| 硬度(Mho) | 9.2 |
| 密度（g/cm3） | 3.21 |
| 折射率 | no=2.55 ne=2.59 |
| 热传导@300K | 3 - 5 x 106W/ m |
| 介电常数 | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
信息
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