PD探测器系列
优点： 1.多种晶体材料选择 2.满足高低能需求
类别:
关键词:
闪烁体 | 闪烁阵列 | 闪烁体探测器 | 单晶基板 | 声光传感器
产品详细信息
| 闪烁材料 | CsI(Tl) | CdWO4 | GAGG:Ce | GOS:Pr/Tb陶瓷 | GOS:Tb薄膜 |
| 光产额(photons/MeV) | 54000 | 12000 | 50000 | 27000/45000 | DRZ高的145% |
| 30ms后的余辉值 | 0.6-0.8% | 0.1% | 0.1-0.2% | 0.01%/0.03% | 0.008% |
| 衰变时间（ns） | 1000 | 14000 | 48, 90, 150 | 3000 | 3000 |
| 吸湿性 | 轻微 | 无 | 无 | 无 | 无 |
| 能量段 | 低能 | 高能 | 高能 | 高能 | 低能 |
| 综合成本 | 低 | 高 | 中等 | 高 | 低 |
性能参数
A. 限制参数
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
| 最大反向电压 | Vrmax | 10 | v |
| 工作温度 | Top | -10 -- +60 | °C |
| 储存温度 | Tst | -20 -- +70 | °C |
B. PD光电特性
| 参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 光谱响应范围 | λp |
| 350-1000 | - | nm |
| 峰值响应波长 | λ |
| 800 | - | nm |
| 光响应灵敏度 | S | λ=550 | 0.44 | - | A/W |
λp=800 | 0.64 | ||||
| 暗电流 | Id | Vr=10Mv | 3 - 5 | 10 | pA |
| 像素端电容 | Ct | Vr=0,f=10kHz | 40 - 50 | 70 | pF |
探测器图纸
(P1.6mm CsI(Tl)/ GOS:Tb探测器)
(P2.5mm GAGG/ CsI(Tl)/CdWO4探测器)
信息
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