CdWO4钨酸镉晶体阵列
优点： 1.高Z，探测效率高 2.抗辐照损伤能力强 3.密度大 4.余晖低 5.不潮解
类别:
关键词:
闪烁体 | 闪烁阵列 | 闪烁体探测器 | 单晶基板 | 声光传感器
产品详细信息
密度（g/cm3） | 7.9 |
光输出（NaI(Tl)）% | 38% |
衰减时间（ns） | 1.4x103 |
波长（nm） | 480 |
余晖(30ms) | 0.1% |
吸潮性 | 不潮解 |
解里面 | （101） |
莫氏硬度（Mho） | 4.5 |
1.类型: 线阵和二维阵列
产品特点
针对不同材质的材料，我司可以提供尽量小的像素尺寸
最小的串扰
晶条于晶条和阵列与阵列和批次与批次之间的均一性控制
反射材料：TiO2/BaSO4/ESR/E60
隔断间距: 0.08, 0.1, 0.2, 0.3mm
性能测试包括，散点图，能谱图，均一性测试
2.锦虹提供不同材质的阵列来满足各种终端应用
我们可以提供包括 CsI(Tl), CsI(Na), CdWO4, LYSO,LSO, YSO, GAGG, BGO,LaBr3 等材质的阵列。根据应用和性能要求，我们可以提供基于TiO2/BaSO4/ESR/E60 的反射材料来做为封装隔断材料。我们的机加工可以实现最小像素的加工，最大限度的满足性能指标和实现最小的串扰和均一性的控制。
3.各种材质的性能指标：
性能指标 | CsI(Tl) | GAGG | CdWO4 | LYSO | LSO | BGO | GOS(Pr/Tb) | LaBr3 |
密度（g/cm3） | 4.51 | 6.6 | 7.9 | 7.15 | 7.3~7.4 | 7.13 | 7.34 | 4.9 |
吸潮性 | 轻微 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 极易 |
相对光输出(%NaI(Tl)) γ-rays | 45 | 158(HL)/ 132(BL)/79(FD) | 32 | 65-75 | 75 | 15-20 | 71/ 118 | 130-170 |
衰减时间(ns) | 1000 | 150(HL)/ 90(BL)/48(FD) | 14000 | 38-42 | 40 | 300 | 3000/ 600000 | 20 |
余晖@30ms | 0.6-0.8% | 0.1-0.2% | 0.1-0.2% | N/A | N/A | 0.1-0.2% | 0.1-0.2% | N/A |
阵列规格 | 线阵和二维 | 线阵和二维 | 线阵和二维 | 二维 | 二维 | 二维 | 线阵和 二维 | 二维 |
4. 阵列组装的加工设计
根据不同的最终用途和客户对不同的考量，锦虹提供多种设计方案和设计来满足和服务于医疗，工业无损探伤和安检市场。
对低能X射线检测的安检行业，我司提供CsI(Tl), GOS, GAGG, CdWO4等闪烁体的线性阵列，我们可以提供P1.575, P2.5等不同间距和不同厚度的线阵。我司提供的线阵对闪烁体的均一性，发光效率等经过严格品控，像素和像素间，阵列与阵列间，批次与批次间的均一性严格的品控。
对于医疗ToF-PET, SPECT, CT,小动物和脑部PET扫描领域，我司可以提供LYSO, CsI(Tl), LSO, LYSO, GAGG, YSO和CsI(Na)阵列来满足不同应用场景和性能要求的需求。
线阵参考图
二维阵列参考图
4-A: 阵列参数: (A,B,C,D参考值)
A.1 材质: 根据用户的需求
A.2 像素大小: 线阵尺寸 A,B,C& 2D 二维面阵的 A, C 可根据用户需求调整
A.3 中心距: 线阵 A+B & 2D 面阵B, D 根据用户需要调整
A.4 隔断间距: 线阵最小 0.1mm 包含胶层 和面阵0.075mm (包含胶层)
A.5 阵列厚度: 根据需要可以提供订制
A.6 晶体表面处理: 抛光，研磨或者其他
4-B: 典型像素尺寸&数量
材料 | 典型值 | 晶条数量 | ||
线阵 | 面阵 | 线阵 | 面阵 | |
CsI(Tl) | 1.275x2.7 | 1x1mm | 1x16 | 19x19 |
GAGG | 1.275x2.7 | 0.5x0.5mm | 1X16 | 8x8 |
CdWO4 | 1.275x2.7 | 3x3mm | 1x16 | 8x8 |
LYSO/LSO/YSO | N/A | 1X1mm | N/A | 25x25 |
BGO | N/A | 1x1mm | N/A | 13X13 |
GOS(Tb/Pr) 陶瓷 | 1.275X2.7 | 1X1mm | 1X16 | 19X19 |
4-C: 最小像素尺寸
材料 | 最小像素尺寸 | |
线阵 | 二维 | |
CsI(Tl) | 0.4mm 中心距 | 0.5mm 中心距 |
GAGG | 0.4mm 中心距 | 0.2mm中心距 |
CdWO4 | 0.4mm 中心距 | 1mm中心距 |
LYSO/LSO/YSO | N/A | 0.2mm中心距 |
BGO | N/A | 0.2mm中心距 |
GOS(Tb/Pr) 陶瓷 | 0.4mm 中心距 | 1mm 中心距 |
5.反射层和胶
反射材料 | 反射层和胶层厚度 | |
线阵 | 面阵 | |
TiO2 | 0.1-1mm | 0.1—1mm |
BaSO4 | 0.1mm | 0.1-0.5mm |
ESR | N/A | 0.08mm |
E60 | N/A | 0.075mm |
6. 阵列应用
应用场景 | CsI(Tl) | GAGG | CdWO4 | LYSO | LSO | BGO | GOS(Tb/Pr) 陶瓷 |
PET, ToF-PET | √ | √ | √ | ||||
SPECT | √ | √ | |||||
CT | √ | √ | √ | √ | |||
NDT | √ | √ | √ | ||||
包检 | √ | √ | √ | ||||
卡车/集装箱 | √ | √ | √ | ||||
伽马相机 | √ | √ |
7. 质量控制
7-1.阵列能量分辨率测试(Na22)
7-2 散点图
7-3.相对光产测试
GAGG和LYSO相对光输出测试，和线阵的相对光输出上机测试。
7-4. 均一性
根据不同品质要求，提供 ±5%,±10%, ±15%等不同均一性要求的产品，我们从晶棒到晶块到晶条到组件提供品质筛选。
7-5.阵列内部缺陷测
7-6.尺寸公差检测（千分尺和两项测量仪）
信息
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