GaAs衬底
优点： 1.砷化镓具有高迁移率，高饱合漂移速度 2.半绝缘砷化镓材料制成的器件寄生电容很小
类别:
关键词:
闪烁体 | 闪烁阵列 | 闪烁体探测器 | 单晶基板 | 声光传感器
产品详细信息
| 材料 | 砷化镓（GaAs） |
| 结构 | 立方 |
| 熔点（℃） | 1238 |
| 生长方法 | LEC(液体封装提拉法)， VGF（布里奇曼/坩埚下降法） |
| 晶格常数（nm） | 0.5653 |
| 密度（g/cm3） | 5.26 |
| 莫氏硬度（Mho） | 4.5 |
| 折射率 | 3.25 |
| 介电常数(300K) | ε(┴)=12.4; ε(║)=10.6 |
| 热导率(W/cm.K) | 0.46 |
| 热膨胀系数(10-6/K) | 6.0 |
| 比热容J/g.K | 0.326 |
| 德拜温度（K） | 344 |
| 禁带宽度(eV) | 1.43 |
| 寿命（ns） | 10 |
信息
如果您对我们的产品感兴趣，请留下您的电子邮件以获得免费的产品报价。谢谢!
联系我们
办公地址: 上海市宝山区威航路218弄L1号3层
工厂地址: 中国河北唐山高新区工业园区127号及2栋
工厂地址: 上海市宝山区威航路218弄L1号3层